高分辨率支持：采用新半導體光刻技術制作，能支持 3 微米至 50 微米（3µm 至 50µm）的分辨率，對應 6 微米和 100 微米（6µm 和 100µm）之間的焦斑尺寸，可滿足微焦點或納米焦點 X 射線檢測系統(tǒng)對高精度分辨率校準和監(jiān)控的需求。

多種狹縫尺寸：狹縫尺寸包括 3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、35、40、45 和 50 微米，共 16 種規(guī)格，可全面覆蓋不同分辨率檢測場景，精確測量系統(tǒng)在各種尺度下的分辨率表現(xiàn)。

特定吸收材料與布局：吸收材料為厚度大于 1.0µm 的金（Au），Slit 的數(shù)量為 3 行和 2 個空格，這種設計有助于在 X 射線檢測中形成清晰的線條圖案，便于觀察和分析系統(tǒng)對不同寬度線條的分辨能力，從而準確評估系統(tǒng)性能。

小巧的外形尺寸：通常芯片尺寸較小，例如可能采用 2x2mm、8x8mm 硅基等不同布局方式，方便在各種 X 射線檢測設備中靈活放置和使用，適應不同的檢測空間和光路設置。